一、市场定位与典型场景
功率段：Qi EPP 18 W（12 V/1.5 A），向下兼容 5 W/7.5 W/10 W，30 min 可为 4500 mAh 手机回血 55 %，性能等同 18 W 有线 QC2.0。
电池端：单节 3.7 V 或两节 7.4 V 锂电池，容量 2000–5000 mAh，成品体积 ≈ 打火机大小，适合 TWS 耳机仓、手电、手持云台、促销礼品。
二、主流 SOC 与双管理芯片架构
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芯片 功能 封装 特色 参考价
RX635（接收 SoC） 整流+EPP 解码 QFN-32 内置 30 V 同步整流，效率 92 % ¥4.8
IP2320/IP2325 线性充电管理 ESOP-8 1–2 A 可调，4.2/8.4 V 可选 ¥1.2
SW2303 升降压充电 QFN-20 2 A 直充，效率 93 % ¥2.5
结论：追求 BOM 极简选“RX635 + IP2320”线性方案；需要 2 A 大电流或 7.4 V 双节电池选“RX635 + SW2303”升降压方案。
三、硬件架构（以 RX635 + SW2303 为例）
接收线圈与谐振
30 mm 单线圈，0.5 mm × 105 股 Litz 线，DC 电阻 65 mΩ，Q ≥ 80@127 kHz；谐振电容 2 × 100 nF/50 V NPO，温漂 ±30 ppm。
同步整流与解码
RX635 内部 30 V/15 mΩ 全桥同步整流，输出 5 V/9 V/12 V 三档 PDO；内置 12 bit 电压采样，兼容 Qi EPP 包络解调，误码率 < 0.1 %。
升降压充电管理
SW2303 采用 1 µH 合金电感，2 A 开关频率 1 MHz，自动把 12 V 降至 4.2 V/8.4 V，效率 93 %；支持涓流-恒流-恒压-再充电四段曲线，充满截止电流 C/10。
保护机制
输入端 30 V TVS 防浪涌；线圈温度 NTC 60 ℃ 降功率，70 ℃ 关机；电池端过充 4.3 V/8.6 V、过放 2.7 V/5.4 V、过流 3 A、短路 0 V 硬件保护，符合 IEC62133。
状态指示
红/绿双 LED 漏极开路指示：充电常亮，充满熄灭，异常 1 Hz 闪烁；预留 I²C 接口，可读取 VRECT、IBAT、温度，支持二次开发。
四、关键性能实测（RX635+SW2303 样板）
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项目 规格 备注
接收距离 ≤ 5 mm 外壳厚度 2 mm 以内
输出 PDO 5 V/2 A、9 V/2 A、12 V/1.5 A 自动请求最高档
电池充电 4.2 V±1 %/2 A 或 8.4 V±1 %/1.5 A 单双节可选
峰值效率 92 %×93 %≈85 % 12 V→8.4 V/1.5 A
待机功耗 5 mW 电池端漏电流 1 µA
线圈温升 ≤ 15 ℃ 25 ℃ 环境，18 W 满载
PCB 尺寸 25 mm × 30 mm × 1.0 mm 双层板，单面贴片
五、设计/量产要点
线圈选型：30 mm 直径，电感量 12 µH±10 %，Q ≥ 80@127 kHz；Litz 线 0.5 mm×105 股，降低高频趋肤损耗。
谐振电容：NPO 100 nF/50 V，2 颗并联，温漂 ±30 ppm，360 kHz 下容量衰减 < 1 %。
整流布局：RX635 全桥距线圈 ≤ 5 mm，开尔文采样走差分，降低 50 mV 尖峰；VRECT 电容 20 µF/25 V X5R，ESR < 20 mΩ。
升降压电感：1 µH/4 A 合金，Isat ≥ 5 A，DCR < 20 mΩ，封装 3 mm×3 mm，温升 < 10 ℃。
热设计：线圈背面贴 0.3 mm 石墨片+导热胶，外壳金属化可再降 5 ℃；NTC 10 kΩ 紧贴线圈，60 ℃ 降功率、70 ℃ 关机。
EMI 抑制：127 kHz-360 kHz 频率抖动±5 %，功率边沿斜率可编程，传导余量 > 6 dB，无需共模电感即可过 CISPR25 Class 3。
认证策略：Qi2 认证需过 360 kHz 通信压力、280 mW 待机、±5 mm 偏移效率跌落 < 30 %；板级预留 0.2 mm 安规间距，VRECT 走线 2 oz 铜。
Demand feedback
